Крутизны полевого транзистора в пологой области

В пологой области статические характеристики идеального ПТ любого типа описываются уравнением:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

, (2.1)

где ? – постоянный коэффициент, зависящий от конструкции транзистора и свойств материала, из которого транзистор изготовлен.

Значение ? можно выразить через параметры ПТ так, например, в случае ПТ с p-n-переходом и МДП-транзисторов со встроенным каналом:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

, (2.2)

где IС0 – ток насыщения стока при UЗИ=0.

В случае использования ПТ с индуцированным каналом:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

, (2.3)

где IC – ток насыщения стока, измеренный при входном напряжении UЗИ = 2U0.

Дифференцируя (2.1) находим, что крутизна характеристики тока стока по напряжению на затворе у идеального ПТ является линейной функцией напряжения затвор-исток UЗИ:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

. (2.4)

Характеристики реального ПТ с p-n-переходом отличаются от идеализированных из-за несовершенства технологии изготовления, наличия немодулированных сопротивлений стока и истока, зависимости подвижности носителей от потенциалов, прикладываемых к электродам ПТ. У МДП-транзисторов дополнительное влияние на характеристики оказывают поверхностные состояния, эффекты поверхностного рассеивания, состояние подложки. Оценить величину отклонения реальных характеристик S = f(UЗИ) в пологой области (UСИU0) от идеализированной можно с помощью рисунка 2.6.

При малых напряжениях затвор-исток через канал протекают значительные тока, создающие на модулированном сопротивлении истока падение напряжения, которое действует как напряжение отрицательной обратной связи, уменьшая изменение крутизны. Это наиболее заметно у мощных ПТ, типа КП903 (кривая 1 на рисунке 2.6). При напряжении на затворе, близком к запиранию, наблюдается резко выраженное отклонение реальной характеристики от идеализированной, обусловленное неоднородностью канала и идентичностью элементарных ячеек, образующих мощный ПТ.

Характеристика прибора простой конструкции типа КП101В (кривая 4), состоящего из одной элементарной ячейки наиболее близка к идеализированной. Для ПТ, имеющих характеристики, близкие к квадратичной параболе, нетрудно вывести аналитические выражения для расчета нелинейных искажений.

Пусть на вход ПТ апериодического усилителя подается сигнал:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

, (2.5)

где UЗ0 – напряжение смещения.

Подставляя выражение (2.5.) в (2.1.) определим выходной ток ПТ:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

. (2.6)

Из уравнения (2.6) определим коэффициент гармоник:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

. (2.7)

Выразив U0-UЗ0 через другие параметры ПТ, выражение для коэффициента гармоник можно записать в следующей форме:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

. (2.8)

Для транзисторов с p-n-переходом и МДП-транзисторов со встроенным каналом уравнение (2.7) можно записать в виде:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

. (2.9)

Из уравнения (2.4) видно, что у идеального ПТ отсутствуют производные крутизны выше первой (S?, S?? и т.д.), обуславливающие специфические искажения селективных усилителей (вторичную модуляцию, перекрестные искажения, нелинейные искажения огибающих и т.д.). Покажем, что одной из причин появления у реального ПТ производных крутизны любого порядка является наличие немодулированного сопротивления истока rИ.

Как следует из эквивалентной схемы, для области средних частот приведенной на рисунке 2.5 реальным ПТ управляет напряжение:

Крутизны полевого транзистора в пологой области

. (2.10)

Крутизны полевого транзистора в пологой области

Рис. 2.5. Модель регулятора с изменением крутизны

Лекция 82. Полевой транзистор.

Похожие статьи:

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

Adblock
detector