Экзаменационные вопросы и вопросы к зачету

1. Физика образования электронно-дырочного перехода. Потенциальный барьер, методы его трансформации. Энергетическая диаграмма p-n перехода в состоянии равновесия.

2. Физика образования переходного слоя контакта металл-проводник. потенциальный барьер и Энергетическая диаграмма этого перехода.

3. Прямое смещение p-n перехода. Инжекция, рекомбинация носителей заряда. Распределение главных и неосновных носителей заряда в структуре перехода. Явление накопления неосновных носителей.

4. Обратное смещение p-n перехода. Экстракция, генерация носителей заряда. Энергетическая диаграмма, составляющие обратного тока.

5. Вольт-амперная черта диода на базе p-n перехода. напряжение и Токи диода при прямом и обратном смещении. Эквивалентное представление диода при прямом и обратном смещении.

6. * Переходные процессы в диоде при включении, переключении и выключении. Временные диаграммы токов и напряжений. Динамические диаграммы.

7. * Типы полупроводниковых вентилей. Главные параметры. Вероятные практические применения.

8. * принцип и Структура действия p-n-p транзистора в активном усилительном режиме. Коэффициенты усиления токов базы и эмиттера, их физическая интерпретация. Электрические схемы обеспечения этого режима при включении транзистора с неспециализированной базой и с неспециализированным эмиттером.

9. * принцип и Структура действия n-p-n транзистора в режимах насыщения и отсечки. Электрическая схема обеспечения этих режимов. Главные параметры транзистора в режимах отсечки и насыщения.

10.* Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора, включённого по схемам с ОБ и ОЭ. Физическая интерпретация их вида.

11.Эквивалентная схема транзистора на базе h-параметров. Определение h-параметров в рабочей точке транзистора. Применение эквивалентной схемы транзистора для анализа качественных показателей усилителей.

12.* Синтез электрической схемы усилительного каскада на биполярном транзисторе. Обеспечение положения рабочей точки усилителя по постоянному току.

13.* Синтез главной схемы на биполярном транзисторе. Временные диаграммы токов и напряжений транзистора при работе в главном режиме. Динамические параметры, определяющие инерционность ключа.

14.Интегральные биполярные транзисторы: многоэмиттерный, многоколлекторный, составной, с барьером Шоттки. Структуры, особенности, принцип работы.

15.принцип и Устройство действия тиристора. Обстоятельства, вызывающие удержания и включение тиристора его во включённом состоянии. Вольт-параметры тиристоров и амперные характеристики.

16.* Методы выключения тиристоров. Статические и динамические параметры тиристоров.

17.* Схема двунаправленного переключения тиристора по аноду. Траектория рабочей точки, временные диаграммы.

18.* Схема двунаправленного переключения тиристора по управляющему электроду. Траектория рабочей точки, временные диаграммы.

19.принцип и Устройство действия полевых транзисторов с изолированным переходом. Структура, вольт-амперные характеристики, условные графические изображения транзисторов.

20.принцип и Устройство действия полевых транзисторов, управляемых переходом (p-n переходом и переходом Шоттки). Структура, вольт-амперные характеристики, условные графические изображения транзисторов.

21.* Обеспечение рабочего режима полевого транзистора для усиления гармонического сигнала. Траектория рабочей точки, временные диаграммы.

22.*Обеспечение работы полевого транзистора в режиме ключа. Траектория рабочей точки, временные диаграммы с учётом инерционности переключения транзистора.

23.Эквивалентная схема полевого транзистора на базе многосигнальных параметров. Определение малосигнальных параметров по ВАХ транзистора для данной рабочей точки. Применение эквивалентной схемы для анализа качественных показателей усиления.

24.Полупроводниковые излучатели. характеристики и Принцип действия.

25. Полупроводниковые фотоприёмники. характеристики и Принцип действия.

Видеокурс Правила дорожного перемещения. Билеты ПДД к экзамену в автошколе


Похожие статьи:

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: